בדרך כלל זה קל מאוד להבדיל בין מודולי הזיכרון עם גורם הצורה בעזרת ההבדלים הפיזיים. רוב מודולי הזיכרון עם גורם הצורה יכולים לתמוך בטכנולוגיות שונות של זיכרון, לכן אפשרי ששני מודולים יראו זהים כאשר למעשה הם לא. למשל, ב DIMM  המכיל 168 פינים ניתן להשתמש ל-  EDO, DRAM סינכרוני, או לסוג אחר של זיכרון. הדרך היחידה לומר בדיוק איזה סוג של זיכרון המודול מכיל הוא לתרגם את הסימונים שעל גבי השבבים. לכל יצרני השבבים של  DRAMיש סימנים ומספרי זיהויי שונים על מנת לזהות את טכנולוגית השבב.

מצב דף מהיר (FPM)

פעם, FPM היה הצורה השכיחה ביותר של  DRAM אשר היה ניתן למצוא במחשבים. למעשה, זה היה כל כך שכיח ,שאנשים פשוט קראו לזה ה DRAM. ל FPM היה יתרון גדול לעומת טכנולוגיות זיכרון בתקופה מוקדמת זו כי זה אפשר גישה מהירה יותר לנתונים הממוקמים באותה שורה. בקיצור, סוג של RAM דינאמי המאפשר גישה מהירה לנתונים בשורה נוכחית פתוחה, כשלאחר הפנייה הראשונה לכתובת השורה אין צורך בפניות נוספות לאותה הכתובת.

הרחבת הוצאת הנתונים (EDO)

בשנת 1995, EDO נהיה המצאת הזיכרון החדשה. זה היה דומה לFPM-, אבל עם שינוי קטן שאפשר גישה לזיכרון רציף להיות הרבה יותר מהיר. זה אומר, שהבקר של הזיכרון יכול לחסוך זמן על ידי כך שהוא חותך כמה צעדים בתהליך המיעון. EDO איפשר ל CPU גישה מהירה יותר לזיכרון מ-%10 עד 15% לעומת FPM.

SDRAM

בשלהי 1996,  SDRAMהתחיל להופיע במערכות. לא כמו טכנולוגיות קודמות , SDRAM מעוצב לסנכרן את עצמו עם התזמון של ה CPU. זה מאפשר לבקר הזיכרון לגלות את המחזור המדויק של השעון כאשר הנתונים המבוקשים מוכנים, לכן ה CPU לא יצטרך לחכות יותר בין גישות הכניסה לזיכרון. לשבבי ה SDRAM  יש גם יתרון מהבחינה של INTERLEAVING ובפונקציות של התפרצויות, מה שגורם לאחזור הזיכרון להיות אפילו מהיר יותר. מודולים של ה SDRAM באים בכמה מהירויות שונות, כך שיהיה סינכרון למהירות של שעון המערכת. ב PC100 למשל ה SDRAM ירוץ ב 100 מגה הרץ, ב PC133 הSDRAM ירוץ ב 133 מגה הרץ וכן הלאה.

RAMBUS ישיר

RAMBUS ישיר, הוא מבנה וסטנדרט ממשק חדש של DRAM , אשר מהווה אתגר לעיצובי הזיכרון המסורתיים. נתונים מועברים במהירויות עד 800 MHZ מעל 16 ביט של אפיקים צרים הנקראים ערוצי  Rambus ישירים. שיעור תדר-השעון הגבוה הזה אפשרי בגלל תכונה הנקראת "שעון כפול",  אשר מאפשר לפעולות להתבצע בקצה הן בעלייה והן בירידה של מחזור שעון. וכן, כל מכשיר זיכרון במודל של ה RDRAM מספק עד 1.6 ג'יגה סיביות לשניה של רוחב פס, פי שניים מרוחב הפס הניתן להשגה עם 100 MHz SDRAM. ישנן שלוש דרגות מהירות אפשריות, 600 ,700 ו-800 MHz. התעשייה מתייחסת אליהם כאל PC700, PC600 ו PC800 בהתאמה.

DDR SDRAM

DDR SDRAM הוא טכנולוגיה אשר מתפתחת ונגזרת מפיתוח טכנולוגיית SDRAM. טכנולוגיה זו, מאפשרת לשבב הזיכרון לבצע פעולות הן בעליה והן בירידה של מחזור השעון. למשל עם DDR SDRAM, עם תדר שעון של 100 מגה הרץ או 133 מגה הרץ אפיק זיכרון מפיק נתונים אפקטיביים של 200 מגה הרץ או 266 מגה הרץ בהתאמה. DDR DIMMS הם בעלי אותם מימדים פיסיים כמו SDRAM DIMMS, אף על פי כן, במקום להיות בעלי שני חריצים ו-168 פינים, יש להם חריץ אחד ו-184 פינים. לכן, זיכרון DDR אינו תואם לאחור (היכולת של גרסה חדשה לעבוד בהתאם לגרסה קודמת) עם SDRAM. 

בנוסף לטכנולוגיות השבבים המעוצבים לשימוש בזיכרון הראשי, ישנן טכנולוגיות ייחודיות של זיכרון אשר  פותחו ליישומי וידאו.