ESDRAM  SDRAM-משופר

כדי להגביר את המהירות והיעילות של מודולי זיכרון סטנדרטיים, חלק מהיצרנים איגדו כמות קטנה של SRAM ישירות לתוך השבב, בכך יוצרים ביעילות מטמון על-שבב. ESDRAM הוא בעיקר SDRAM, פלוס כמות קטנה של מטמון SRAM, אשר מאפשר לפעולות של פרצים של עד  MHz200. בדיוק כמו זיכרון של מטמון חיצוני, המטרה של מטמון DRAM הוא להחזיק את הנתונים השכיחים ביותר במטמון SRAM על מנת לגרום למינימום גישות ל-  DRAMהאיטי יותר. יתרון אחד של SRAM על-שבב הוא שזה מאפשר אפיק רחב יותר בין הSRAM- וה- DRAM, המגדיל ביעילות את רוחב הפס ומהירות  ה- DRAM.

FCRAM- מחזור מהיר של RAM
FCRAM , אשר פותחו בשותפות על ידי Toshiba ו-Fujitsu, מיועד לתחום היישומים כגון שרתים מתקדמים, מדפסות ומיתוג מערכות תקשורת-מרחוק. זה כולל סגמנטצית זיכרון של מערך הנתונים וחפיפה פנימית במהירות גישה אקראית והקטנת צריכת הכוח.

SLDRAM

אף על פי שהיום נחשב מיושן, SLDRAM פותח על ידי אחוד יצרנים של DRAM כחלופה לטכנולוגיה של RAMBUS בסוף שנות ה-'90.

VCM

פותח על ידי NEC, VCM מאפשר לבלוקים שונים של זיכרון להתממשק באופן עצמאי עם בקר הזיכרון.  כל אחד עם המכלא שלו. בדרך זו, משימות מערכת שונות יכולות להיות מוקצות בערוצים ממשיים ומידע המתייחס לפונקציה אחת לא משתף מקום במכלא עם משימות אחרות הקורות באותו הזמן, ועל ידי כך, עושים פעולות יותר ביעילות.

FLASH MEMORY

FLASH MEMORY הוא זיכרון הבזק, לא-נדיף, זיכרון הניתן לכתיבה חוזרת מספר פעמים, שמתפקד כמו    RAMודיסק קשיח ביחד. זיכרון הבזק מאחסן סיביות של נתונים אלקטרוניים בתאי זיכרון, כמו DRAM, אבל זה גם עובד כמו דיסק קשיח בזה שכאשר המחשב נכבה, הנתונים נשמרים בזיכרון. בגלל המהירות הגבוהה שלו, יציבות ודרישות של מתח נמוכות, זיכרון הבזק הוא אידיאלי לשימוש בהרבה יישומים, כמו מצלמות דיגיטליות, מצלמות וידאו דיגיטליות, פלפונים, מדפסות, ארגונית ממחושבת ( PDAs), איתוריות חכמות, מכונת הקלטה דיגיטלית, MP3, מערכות ניווט ואלבומים של צילום דיגיטליים.